揭阳回收手机IC,2022电子料回收出价表
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以下为光电耦合器的常用参数:
反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流。
反向击穿电压VBR:被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。
正向压降VF:二极管通过的正向电流为规定值时,正负极之间所产生的电压降。
正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。
反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降。
输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。任何两块金属导体中间隔以绝缘体就构成了电容器,金属导体称极板绝缘体介质。以介质材料分类,电容器可以分为空气介质电容器、液体介质电容器、无机介质电容器以及电解质电容器等。根据形式的不同,电容器还可以分为固定电容器、可变电容器、半可变电容器。还可按材料、用途不同而进行分类。电容器能储存电荷而产生电场,所以它是储能元件。电容量是电容器的重要参数。它是电容器极板上的带电量Q与电容器两端电压U之比,即C=Q/U式中C-电容,F(法拉);Q-电量,C(库仑);U-电压,V(伏)。
以下为光电耦合器的常用参数:
反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流。
反向击穿电压VBR:被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。
正向压降VF:二极管通过的正向电流为规定值时,正负极之间所产生的电压降。
正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。
反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降。
输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。任何两块金属导体中间隔以绝缘体就构成了电容器,金属导体称极板绝缘体介质。以介质材料分类,电容器可以分为空气介质电容器、液体介质电容器、无机介质电容器以及电解质电容器等。根据形式的不同,电容器还可以分为固定电容器、可变电容器、半可变电容器。还可按材料、用途不同而进行分类。电容器能储存电荷而产生电场,所以它是储能元件。电容量是电容器的重要参数。它是电容器极板上的带电量Q与电容器两端电压U之比,即C=Q/U式中C-电容,F(法拉);Q-电量,C(库仑);U-电压,V(伏)。
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