清远回收芯片,电子料收购中心
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光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列原则:所选用的光电耦合器件必须符合国内和的有关隔离击穿电压的标准;由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国FAIRCHILD生产的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器,在国内应用地十分普遍。可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。LED灯的驱动器里面都有一个电容,可以把电容理解成一个容量很小的充电电池:当电容内通过电流时,电容会持续充电——充满电以后,电容会一次性将储存的电能全部释放。LED灯闪烁,就属于后一种情况:电容充电的过程中,灯是熄灭的——由于电容内部电流较小,导致充电速度很慢,所以用肉眼是可以看到电灯熄灭的。当电容充满电后,一次性释放电能,会点亮电灯。但是由于储存的电能较少,电灯很快就会熄灭——不停的重复充电、放电,肉眼看到的,就是灯闪烁。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列原则:所选用的光电耦合器件必须符合国内和的有关隔离击穿电压的标准;由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国FAIRCHILD生产的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器,在国内应用地十分普遍。可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。LED灯的驱动器里面都有一个电容,可以把电容理解成一个容量很小的充电电池:当电容内通过电流时,电容会持续充电——充满电以后,电容会一次性将储存的电能全部释放。LED灯闪烁,就属于后一种情况:电容充电的过程中,灯是熄灭的——由于电容内部电流较小,导致充电速度很慢,所以用肉眼是可以看到电灯熄灭的。当电容充满电后,一次性释放电能,会点亮电灯。但是由于储存的电能较少,电灯很快就会熄灭——不停的重复充电、放电,肉眼看到的,就是灯闪烁。
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