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传统的LED芯片采用正装结构,上面通常涂敷一层树脂,下面以蓝宝石作为衬底。一方面,由于蓝宝石的导热性较差,有源层产生的热量不能及时地释放,而且蓝宝石衬底会吸收有源区的光线,即使增加金属反射层也无法完全解决吸收的问题;另一方面,由于树脂的导热能力很差,热量只能靠芯片下面的引脚散出。因此前后两方面都造成散热的难题,影响了器件的性能和可靠性。鉴于此,LED的倒装焊接技术应运而生。 [2]
2001年,LumiLeds研制出了AIGalnN功率型倒装芯片结构,LED芯片通过凸点倒装连接到硅基上。这样大功率LED产生的热量不必经由芯片的蓝宝石衬底,而是直接传到热导率更高的硅或陶瓷衬底,再传到金属底座,由于其有源发热区更接近于散热体,可降低内部热沉热阻。这种结构的热阻理论计算可达到1.34K/W,实际做到6-8K/W,出光率也提高了60%左右。但是,热阻是与热沉的厚度成正比的,由于受硅片机械强度与导热性能所限,很难通过减薄硅片来进一步降低内部热沉的热阻,这就制约了其传热性能的进一步提高。严禁带病和酒后进行试验。被试物须无机械损伤，与试验物周围带电体应有足够安全间距，被试物应可靠接地。穿戴好防护用品。试验电工工作中要求。试验时不少于二人，应一名有经验者为试验负责人。高压试验人员应明确分工，试验时应装遮栏，或在被试区专人警戒。试验负责人在现场发令，其他人应服从指挥。当发现人员，设备危险时，有权停止试验。试验中，试验人员不准擅离岗位。特殊情况要离开时，应停止试验，拆除试验电源。重新试验要检查结线无变动后，方可接上电源。
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