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LED芯片有横向和垂直两种基本结构。所谓的横向结构LED芯片是指芯片两个电极在外延片的同侧,由于电极在同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不利于电流的扩散以及热量的散发。相反,垂直结构LED芯片是指两个电极分布在外延片的异侧,以图形化电极和全部的p型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂直流过LED外延层,极少横向流动的电流。垂直结构LED可以按材料分为GaP基LED、GaN基LED和ZnO基LED。LED的分别用红色和黑色表示)分别与热沉或PCB或电路板上的正、负极(分别用红色和黑色表示)电联接。外界电源与电路板上的“十”和“一”极相联接。 [2]
由SemiLedS研发的以蓝宝石为衬底的垂直结构GaN基LED芯片从2005年11月开始进入市场。制造垂直结构LED芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底。相比横向结构的LED芯片,垂直结构的LED芯片具有以下明显的优势:罗湖大量回收电容欢迎合作个导磁体夹着1个永磁体,转子的齿位置互相相差1/2齿节距。转子的磁通从N极出发,经过气隙处(定转子齿相对的地方)到定子磁路,再返回转子的S极,磁路如箭头所示。上图左侧的转子上部,右侧的转子下部产生吸引力,轴两侧产生力矩(此力是不平衡电磁力),转子的旋转受定子激磁线圈切换产生旋转力。轴承的间隙会很容易产生振动。实际上定子主极为8个极,转子齿数为偶数,目的是消除此不平衡电磁力。实际上与2个转子齿部相对的定子,在轴向上并非是分开成两个,而是采用硅钢片叠压而成一体。

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