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谐波系列的电磁干扰幅度受Q1和Q2的通断影响。在测量漏源电压VDS的上升时间tr和下降时间tf,或流经Q1和Q2的电流上升率di/dt 时,可以很明显看到这一点。这也表示,我们可以很简单地通过减缓Q1或Q2的通断速度来降低电磁干扰水平。事实正是如此,延长开关时间的确对频率高于 f=1/πtr的谐波有很大影响。不过,此时必须在增加散热和降低损耗间进行折中。尽管如此,对这些参数加以控制仍是一个好方法,它有助于在电磁干扰和热性能间取得平衡。具体可以通过增加一个小阻值电阻(通常小于5Ω)实现,该电阻与Q1和Q2的栅极串联即可控制tr和tf,你也可以给栅极电阻串联一个 “关断二极管”来独立控制过渡时间tr或tf(见图3)。这其实是一个迭代过程,甚至连经验*丰富的电源设计人员都使用这种方法。我们的*终目标是通过放慢晶体管的通断速度,使电磁干扰降低至可接受的水平,同时保证其温度足够低以确保稳定性。
集成电路是采用半导体制作工艺,在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表示。IC就是半导体元件产品的统称。广义些讲还涉及所有的电子元件,像电阻,电容,电路板/PCB板,等许多相关产品。从检测比较环节输出电压控制BGl对电容充电的快慢进行移相,移相后的脉冲经脉冲变J土器Bm加到脉冲分配环节。脉冲分配环节:同步变压器的交流电压控制BGBG3(3Ax31B)轮流导通(每个导通半个周期)。同步变压器的极性保证KGl承受正向电压时BG2导通,这样触发脉冲就通过BG2加到KGl控制极上,使得可控硅在承受反向电J土时不送入脉冲。充磁和起励环节:由隔离二极管Z蓄电池限流电阻R、起励按钮QA组成。 东莞常平回收功率电感 各种进口内存收购公司,东莞石排进口IC芯片回收 高价值IC电子收购,东莞横沥回收功率电感 各种进口内存收购公司,东莞石排回收功率电感 各种进口内存收购公司,东莞东坑回收贴片晶振 进口电容收购公司,东莞凤岗各类连接器回收 高价值内存收购,回收全新字库 收购各种贴片电子料,东莞麻涌回收滤波器 手机滤波器收购公司 ,东莞厚街回收功率电感 各种进口内存收购公司,深圳坂田回收闲置存储器 回收统货继电器,诚信双赢,欢迎各路老板前来合作。
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