深圳公明回收IC，收购电子配件，上门速度快

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使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。

IC由很多重叠的层组成，每层由视频技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。

在一个自排列（CMOS）过程中，所有门层（多晶硅或金属）穿过扩散层的地方形成晶体管。

电阻结构，电阻结构的长宽比，结合表面电阻系数，决定电阻。

电容结构，由于尺寸限制，在IC上只能产生很小的电容。

更为少见的电感结构，可以制作芯片载电感或由回旋器模拟。

因为CMOS设备只引导电流在逻辑门之间转换，CMOS设备比双极型组件（如双极性晶体管）消耗的电流少很多。透过电路的设计，将多颗的晶体管管画在硅晶圆上，就可以画出不同作用的集成电路。

随机存取存储器是*常见类型的集成电路，所以密度*高的设备是存储器，但即使是微处理器上也有存储器。尽管结构非常复杂－几十年来芯片宽度一直减少－但集成电路的层依然比宽度薄很多。组件层的制作非常像照相过程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层，因为他们太大了。高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小，对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说，电子显微镜是必要工具。

在使用自动测试设备（ATE）包装前，每个设备都要进行测试。测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块，每个被称为晶片（“die”）。每个好的die被焊在“pads”上的铝线或金线，连接到封装内，pads通常在die的边上。封装之后，设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本 产品的制造成本的25%，但是对于低产出，大型和/或高成本的设备，可以忽略不计。

在2005年，一个制造厂（通常称为半导体工厂，常简称fab，指fabrication facility）建设费用要超过10亿美元，因为大部分操作是自动化的。 [1] 

IPD90P04P4L-04

OPA2376AIDGKR

TLC5926QPWPRQ1

PIC18F66K80-I/PT

DS2482S-100

AD8217BRMZ

SN65HVD233DR

TCAN1042VDRQ1

TPS57060QDGQRQ1

VN5T006ASPTR-E

AT89C51RD2-SLSUM

TAS2505TRGERQ1

MCIMX6Q5EYM10AD

INA193AIDBVR

EP4CE6F17I7N

STM32F101ZGT6

STM32F101C8T6

EP4CE55F23I7N

AT89C51ED2-SLSUM

SAK-TC275TP-64F200N

NC7SZ14M5X

XC6SLX25-2CSG324I

LPC1788FBD208K

SZNUP2105LT1G

PIC16F1947-I/PT

CSD95372BQ5MC

TLP291-4

STM32H753VIT6

OPA171AQDBVRQ1

DP83848CVV

EPCS4SI8N

STM32F100VCT6B

STM32F205ZGT6

STM32F103VDT6

STM32F030F4P6TR

TLE6368G2

TPS82084SIL

BMI160

TPS552882QRPMRQ1

TPS63070RNMR

DRV8305NPHPR

TLV61046ADBVR

ATSAMA5D35A-CU

USB2514BI-AEZG

STM32L051C8T6

74HC245D

CSD95490Q5MC

L6390DTR

5M80ZE64C5N

STM32F427IGT6