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高价回收二三极管，收购电子配件，电子IC芯片，回收单片机，集成IC，内存闪存FLASH芯片，使用单晶硅晶圆（或III-V族，如镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。
IC由很多重叠的层组成，每层由技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。
在一个自排列（CMOS）过程中，所有门层（多晶硅或金属）穿过扩散层的地方形成晶体管。
电阻结构，电阻结构的长宽比，结合表面电阻系数，决定电阻。
电容结构，由于尺寸限制，在IC上只能产生很小的电容。
更为少见的电感结构，可以制作芯片载电感或由回旋器模拟。P2010：=6USS波特率（9600波特）P2011：=1USS地址，为变频器一个的串行通讯地址。P2012：=2USS协议的PZD(过程数据)长度（这个长度和R2018数据有关）P2013：=127USS协议的PKW长度，可变长度通讯报文的结构每条报文都是以字符STX（=02hex）开始，接着是长度的说明（LGE）和地址字节（ADR）。然后是采用的数据字符。报文以数据块的检验符。STXLGEADR12……….NBCC|采用的数据字符|这种通讯结构是变频器自己定义的数据格式，类似于仪表通讯，国产plc与这样的格式通讯一般是AXCII通讯或者自由口通讯，也就是自己按照通讯格式组织针通讯。