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双电层电容是建立在德国物理学家亥姆霍兹提出的界面双电层理论基础上的一种全新的电容器。众所周知，插入电解质溶液中的金属电极表面与液面两侧会出现符号相反的过剩电荷，从而使相间产生电位差。那么，如果在电解液中同时插入两个电极，并在其间施加一个小于电解质溶液分解电压的电压，这时电解液中的正、负离子在电场的作用下会迅速向两极运动，并分别在两个电极的表面形成紧密的电荷层，即双电层，它所形成的双电层和传统电容器中的电介质在电场作用下产生的极化电荷相似，从而产生电容效应，紧密的双电层近似于平板电容器，但是，由于紧密的电荷层间距比普通电容器电荷层间的距离更小得多，因而具有比普通电容器更大的容量。
双电层电容与铝电解电容器相比内阻较大，因此，可在无负载电阻情况下直接充电，如果出现过电压充电的情况，双电层电容将会开路而不致损坏器件，这一特点与铝电解电容器的过电压击穿不同。同时，双电层电容与可充电电池相比，可进行不限流充电，且充电次数可达10^6次以上，因此双电层电容不但具有电容的特性，同时也具有电池特性，是一种介于电池和电容之间的新型特殊元器件在S7中，除了过程映像区外，还可以通过外设寻址来访问输入/输出。外设寻址与过程映像区不同，外设寻址是指直接访问外设模块。外设寻址不能对外设进行位寻址，要求必须至少以字节为单位进行数据读写，即可以字节、字或者双字为单位进行寻址。其格式如下：PIB（PeripheralinputByte）：外设字节输入PIW（PeripheralinputWord）：外设字输入PID（PeripheralinputD-word）：外设双字输入PQB（PeripheraloutputByte）：外设字节输出PQW（PeripheraloutputWord）：外设字输出PQD（PeripheraloutputD-word）：外设双字输出为什么要用外设寻址访问地址超出了过程映像区的范围对于300的CPU而言，以CPU-3152DP为例（如所示），I/O地址区总计有2048个字节的输入和2048个字节的输出，但其过程映像区的大小仅为128字节。