2022电子料回收,肇庆高价回收ic
更新时间:2023-10-19 09:15:00
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光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列原则:所选用的光电耦合器件必须符合国内和的有关隔离击穿电压的标准;由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国FAIRCHILD生产的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器,在国内应用地十分普遍。可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。θM为产生TM的角度。两相PM型或两相HB型的步距角一致。根据上式,以及《步进电机的基本特性:静态、动态、暂态转矩特性》一问中的式:θL=(2θM/π)arcsin(TL/TM)得知,负载转矩TL决移角θL的大小。由于步进电机的负载决定角位置,因此一定负载转矩TL时,θL越小,角度精度越高。因此希望步进电机静态转矩(保持转矩)TM要大。连续测量TL与θL,就可以得到静态转矩特性曲线。步进电机的静态转矩特性,可以1相激磁,也可以2相激磁,A相与B相1相激磁转矩公式如下式所示,其中角度θ为电气角。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列原则:所选用的光电耦合器件必须符合国内和的有关隔离击穿电压的标准;由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国FAIRCHILD生产的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器,在国内应用地十分普遍。可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。θM为产生TM的角度。两相PM型或两相HB型的步距角一致。根据上式,以及《步进电机的基本特性:静态、动态、暂态转矩特性》一问中的式:θL=(2θM/π)arcsin(TL/TM)得知,负载转矩TL决移角θL的大小。由于步进电机的负载决定角位置,因此一定负载转矩TL时,θL越小,角度精度越高。因此希望步进电机静态转矩(保持转矩)TM要大。连续测量TL与θL,就可以得到静态转矩特性曲线。步进电机的静态转矩特性,可以1相激磁,也可以2相激磁,A相与B相1相激磁转矩公式如下式所示,其中角度θ为电气角。
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