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总的来说，LED制作流程分为两大部分：
首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物（前驱物）及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片*常用的设备。
然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够乾净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层（指蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。
蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定芯片，因此会产生夹痕（在目检必须挑除）。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等，若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。
芯片在前段工艺中，各项工艺如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等，因此会有芯片电极刮伤情形发生。上图中KMKMKM3为Y/△转换的三个交流接触器。kM1为主交流接触器，无论是Y形正常运转，它都担负传递电能的工作，必须吸合动作。kM2交流接触器在电路中只是作为Y形的O点，电机正常运行时KM2它是不动作的。KM3交流接触器是电路Y形启动后来与KM1一起吸合共同完成工作任务，形成正常的△形运转的电流通路。电机Y形降压启动时KM1吸合，KM2动作将电动机接成Y形。一般Y型启动都采用上图中的380或220V（根据动力线的情况来定，220v需有工作零线N，无零线N必须用380v继电器）的得电延时继电器。
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